赵洪泉,博士,研究员, 2006年6月毕业于中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室，获微电子学与固体电子学博士学位。2006年8月至2009年3月作为COE研究员在日本北海道大学集成量子电子学中心开展纳米电子学方向研究工作，2009年4月至2013年3月作为研究员在日本大阪大学产业科学研究所从事固态量子光学方面的研究工作。2013年4月进入中国科学院重庆绿色智能技术研究院信息所,负责筹建院立量子信息技术中心研究平台。

　　围绕量子信息技术对固态量子光源的开发需求，系统开展纳米金刚石NV体系的光量子学研究，取得多项有价值的研究成果：率先在国际上提出了衬底效应对低温零声子线的增强概念，从而有效压制声子带,提高零声子线Debye-Waller因子的问题。 并首先利用高精度扫描双聚焦F-P腔干涉仪，测量纳米金刚石中NV中心的低温零声子线宽，获得了纳米金刚石NV体系中目前最窄的1.2GHz零声子线宽。从而为纳米金刚石NV量子点在量子光学中的实际应用提供了精确的数值基础。围绕电路设计和纳米制作方法在量子电路中的应用需求，设计、制作并测试了基于BDD电路设计思想的纳米集成电路，通过优化表面钝化方法，提高了纳米量子器件及量子回路的工作频率。从而使得BDD电路设计方法应用于大规模集成量子回路成为可能。

　　目前正在主持和承担重庆市科委基础重大项目，集成光电子国家联合重点实验室开放项目各一项。

　　目前主要研究兴趣

　　1、固态量子体系建模和理论模拟和以金刚石NV体系为具体研究对象的固态量子点材料优化。

　　2、单光子探测及弱测量和弱值理论的研究。

　　3、光场与微波场在腔中的耦合，及实验探索光机械振子体系下的耦合机制，揭示其物理特性。

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